마이크론이 4F² DRAM 포기, 3D 메모리로 방향 선회
원제 Why Micron Is Suddenly Ditching 4F² DRAM as Rivals Double Down
114 포인트댓글 17
Key Point
경쟁업체들이 4F² DRAM에 투자할 때 마이크론만 반대 방향으로 가는 이유와, DRAM 미세화의 물리적 한계가 어디까지인지 이해할 수 있다.
핵심 요약
- 마이크론은 20년 이상의 연구 끝에 4F² DRAM 상용화를 포기하고 6F² 기술에 집중하기로 결정했다.
- DRAM 밀도는 셀 면적보다 커패시터 간격에 의해 결정되는데, 6F²에서 4F²로 축소해도 밀도 개선 효과가 미미하면서 비용과 복잡도만 급증한다.
- 마이크론은 1δ(델타) 고밀도 메모리 양산에 박차를 가하고 있으며, 1ε(엡실론)에서는 첨단 웨이퍼 본딩 기술을 적용한다.
- 향후 ζÅ(제타-옹스트롱)과 ηÅ(에타-옹스트롱)을 거쳐 2D 평면 DRAM의 한계에 도달할 것으로 예측한다.
- 마이크론이 진정한 목표로 삼는 것은 3D DRAM으로, DRAM 저장 셀을 수직으로 다층 적층하는 방식이다.
- 플래시 메모리는 10년 이상 3D 구조를 사용했지만, DRAM은 누수가 심한 고종횡비 커패시터와 트랜지스터가 쌍을 이루므로 열 간섭 없이 수직 확장이 매우 어렵다.
- 경쟁업체인 삼성, SK하이닉스, CXMT는 모두 4F² 설계로 진행 중이며, CXMT는 연말까지 서버용 DDR5 RDIMM 4F² 제품을 출시할 예정이다.
- 마이크론은 4F²가 비용이 높은 단기 우회 경로가 될 것으로 판단하고, High-NA EUV와 웨이퍼 본딩 기술로 6F²을 끝까지 짜내며 진정한 3D DRAM 상용화 경쟁에서 우위를 점하려는 전략을 펴고 있다.