삼성, 내년 HBM4·HBM4E 생산량 2배 이상 확대
원제 Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM
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Key Point
AI칩 수요 급증에 따른 고대역폭 메모리 공급 경쟁에서 삼성이 NVIDIA 같은 주요 고객을 공략하기 위해 공격적 확산을 추진하고 있음을 보여준다.
핵심 요약
- 삼성전자가 내년 HBM4(6세대)와 HBM4E(7세대) 고대역폭 메모리 칩 생산량을 올해 대비 2배 이상 늘릴 것으로 예상된다.
- 글래스 캐리어(반도체 공정에서 웨이퍼를 지지하는 유리 재료) 수급이 올해 월 2만 장에서 내년 월 5만 장으로 2.5배 증가할 계획이다.
- 업계는 삼성의 내년 HBM 생산 규모가 월평균 웨이퍼 기준으로 올해 약 18만 장에서 25만 장으로 약 40% 늘어날 것으로 예상한다.
- HBM4 제품군이 전체 생산량에서 차지하는 비중은 올해 40%에서 내년 80% 수준으로 상승할 것으로 전망된다.
- 삼성은 2월 10나노급 6세대 D램과 4나노 공정 기반 다이로 만든 HBM4 양산을 시작했고, 5월에는 12층 HBM4E 샘플을 엔비디아 등에 제공했다.